台積low k high k製程
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28奈米製程
https://www.tsmc.com
此外，台積公司領先全球的28奈米製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極 ...
360°科技－High
https://www.digitimes.com.tw
... High-k材料以減少漏電， ... High-k正是一種較厚而在未來幾年極有可能取代現今二氧化矽的 ... 製程突圍路徑四大中國本土半導體廠燒錢力挺 · 台積 ...
65到45：半導體製程微細化技術再突破
https://www.ctimes.com.tw
Low-k材料是90奈米技術最重要的關鍵，90奈米製程所使用Low-k材料的K值約在3.0～2.9之間，60奈米以下的製程，才會採用2.5和2.4K值的材料，以有效降低金屬 ...
Low k、High k到底在幹嘛？
https://ryanwu.pixnet.net
... Low k Dielectric是相輔相成的，前者用來強化線路的傳導性，後者用來降低線路間的絕緣性。 由於半導體製程的不斷進步，積體電路的尺寸愈來愈小、電路 ...
Low
http://www.ctimes.com.tw
據中央社報導，台積電於今年宣布邁入「低介電常數」（Low-K）製程新紀元，使得許多新的先進產品得以運用低介電常數薄膜當作隔離材料，藉由低介電材質提高速率， ...
半導體IC絕緣膜面臨技術革新
https://www.materialsnet.com.t
正在開發可望滿足微細化要求且具. 可撓性的「Scalable 配線用絕緣膜技. 術」，對Low-K 絕緣材料的開發目標為. 介電係數1.5~2.0 ，以及具有可耐配線. 製程的機械強度。總之 ...
台積公司將28奈米製程定位為全世代製程
https://pr.tsmc.com
台灣積體電路製造股份有限公司今（29）宣佈，將28奈米製程定位為全世代(Full Node)製程，同時提供客戶高介電層/金屬閘（High-k Metal Gate，HKMG）及 ...
淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？
https://today.line.me
而對於眾所矚目的下世代2 奈米製程，台積電也已 ... high-k／metal gate），介電層的k 值愈大，氧化 ... [6] G. Bae et al., “3nm GAA Technology featuring ...
矽晶・電子：革命性創新的三維鰭型電晶體
https://scitechvista.nat.gov.t
45 nm製程High-K氧化層與金屬閘極（簡稱HKMG） 45 nm引入了高介質（high-K）絕緣層∕金屬閘極的配置，這也是台積電在低迷金融海嘯後力圖振作的關鍵製程。 電晶體中最 ...
臺積電先進製程激盪35年
https://news.futunn.com
在製程的演進過程中，新的技術不斷被臺積電研發出來和引入進去，如Low-K/High-K、光刻技術、封裝技術、EUV光刻機、FinFET技術等等，而且臺積電在各個製程 ...